详细摘要: 锐骏半导体,RU1HE12L N沟道高级功率MOSFET,封装为TO252
产品型号:所在地:深圳市更新时间:2022-12-27 在线留言通信电缆 网络设备 无线通信 云计算|大数据 显示设备 存储设备 网络辅助设备 信号传输处理 多媒体设备 广播系统 智慧城市管理系统 其它智慧基建产品
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详细摘要: 锐骏半导体,RU1HE12L N沟道高级功率MOSFET,封装为TO252
产品型号:所在地:深圳市更新时间:2022-12-27 在线留言详细摘要: 锐骏半导体,30V/20A双N沟道高级功率MOSFET RU30D20M3,适用于开关应用系统,封装为DFN3030
产品型号:所在地:深圳市更新时间:2022-12-27 在线留言详细摘要: 锐骏半导体 RUH30J51M 双通道对称N沟道MOSFET,封装为PDFN5*6
产品型号:所在地:深圳市更新时间:2022-12-27 在线留言详细摘要: 锐骏半导体,30V/30A N沟道高级功率MOSFET RU30J30M,经过雪崩测试,符合RoHS要求,封装为PDFN5*6
产品型号:所在地:深圳市更新时间:2022-12-27 在线留言详细摘要: 锐骏半导体,N沟道增强型功率MOSFET RU207C,可用于电源管理应用,封装为SOT23-3
产品型号:所在地:深圳市更新时间:2022-12-27 在线留言您感兴趣的产品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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